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組成制御Niフルシリサイド電極とHfSiON高誘電率ゲート絶縁膜を用いた低消費電力MOSトランジスタ (特集 次世代半導体製造のための新プロセス技術・新材料)

健介 高橋,謙三 間部,多恵子 五十嵐

mag（2005）

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