27aDH-9 SiC上エピタキシャルグラフェンにおけるゼロエネルギーランダウ準位の分裂(グラフェン(電磁効果・電子相関),領域4,領域7合同,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))

mag(2013)

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