C-11-3 Buried Gate type SGTの試作プロセス(C-11.シリコン材料・デバイス) 岳之 北川, 裕之 網川,貴士 泉田, 修平 大津,広記 中村,弘 桜庭,富士雄 舛岡mag（2004）引用 23|浏览0暂无评分AI 理解论文溯源树样例生成溯源树，研究论文发展脉络Chat Paper正在生成论文摘要
