Морфология наноструктур Si/SiO 2 /Ni с треками быстрых тяжелых ионов в оксиде кремния

Наноструктуры Si/SiO2/Ni изготовлены с помощью облучения поверхности оксидированного кремния быстрыми тяжелыми ионами, травления нанопор в слое SiO2 и электрохимического осаждения в них никеля с частичным ( 50) и полным заполнением пор. Морфологические исследования металла в порах показали, что структура кластеров никеля достаточно однородна и формируется из кристаллитов размером 30 50 нм. Тестовые исследования температурных зависимостей магнетосопротивления дали возможность проанализировать влияние режимов осаждения и морфологии структуры на процессы токопереноса. Повторяемость и стабильность значений магнетосопротивления при однородной структуре и степени заполнения пор никелем определяют перспективу применения системы Si/SiO2/Ni в качестве базового элемента высокочувствительных низкотемпературных сенсоров магнитного поля.