25 Gb/s单片集成电吸收调制分布反馈激光器
Acta Optica Sinica（2015）
Abstract
采用选区外延生长应变InGaAsP/InGaAsP多量子阱有源层,制备出带宽为25 Gb/s的单片集成电吸收调制分布反馈激光器.激光器区和调制器区的荧光光谱波长分别为1535 nm和1497 nm,偏调约为38 nm.利用全息技术在激光器区制备光栅,集成器件激射在1549 nm波长处,器件的阈值电流为18 mA,在100mA直流电流下出光功率大于10 mW.器件工作在单模状态,边模抑制比大于40 dB,与单模光纤耦合后测得的静态消光比为23 dB,器件的3 dB响应带宽为16 GHz.调制器偏压为-1.7V,峰峰值电压为3.5V,在25 Gb/s非归零伪随机二进制码(215-1)调制下测得器件的背靠背眼图清晰张开,动态消光比大于5.7 dB.器件具有低成本、高带宽的特点,是下一代光纤通信网络的理想光源.
MoreKey words
lasers,electro absorption modulator,distributed feedback laser
AI Read Science
Must-Reading Tree
Example
Generate MRT to find the research sequence of this paper
Chat Paper
Summary is being generated by the instructions you defined