Bulk CMOSと互換性のあるプロセスにて作製した26nm Si層の0.11μm完全空乏型SOI CMOSデバイス裕司 小松,創 中山,一英 小山,光市 松本,晃計 大野,光明 竹下siam international conference on data mining(2002)引用 23|浏览3暂无评分关键词soiAI 理解论文溯源树样例生成溯源树,研究论文发展脉络Chat Paper正在生成论文摘要