32nm世代以降のCMOS向けメタルゲート/High-k絶縁膜技術の導入によるMOSFET特性の変化(デバイス,VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低消費電力))正人 小山,正浩 小池,雄一 上牟田,正道 鈴木,光介 辰村,義規 土屋,玲華 市原,正和 後藤,浩二 長友,篤志 東,繁 川中,一明 中嶋,克行 関根siam international conference on data mining(2007)引用 23|浏览10暂无评分AI 理解论文溯源树样例生成溯源树,研究论文发展脉络Chat Paper正在生成论文摘要