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大面阵CCD自动键合参数优化

Semiconductor Optoelectronics(2011)

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Abstract
CCD键合工艺要求硅铝丝依次在Au焊盘和Al焊盘上完成一、二焊的超声键合。文章分别以Au焊盘和Al焊盘为研究对象,通过调整键合中的超声功率和线弧高度参数,在超声功率为20%~50%、线弧高度为1 000~1 800μm范围内,设定48组不同的实验条件进行键合,以键合后拉力测试结果为表征量,采用工序能力指数(Cpk)的统计方法进行归纳比较,从中选取最优实验参数用于大面阵CCD键合工艺,以达到优化键合参数的目的。
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Key words
CCD,wire bonding,ultrasonic power,loop height,Cpk
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