沉积温度和碳纳米管对CVDSiC涂层微观形貌的影响
Fenmo Yejin Cailiao Kexue yu Gongcheng/Materials Science and Engineering of Powder Metallurgy（2010）
摘要
以三氯甲基硅烷(CH3SiCl3)为前驱体,采用化学气相沉积法(Chemicalvapordeposition,CVD),在原位生长有碳纳米管(Carbonnanotubes,CNTs)的CIC复合材料表面制备Sic涂层.用扫描电镜(SEM)和X射线能谱仪(EDS)观察和分析涂层微观形貌及成份.研究沉积温度(1000～1150℃)对Sic涂层的表面、截面以及sic颗粒的微观形貌的影响.结果表明:在1000℃下反应时,得到晶须状Sic;沉积温度为1050℃时涂层平整、致密:沉积温度提高到1100℃时,涂层粗糙,致密度下降:1150℃下形成类似岛状组织,Sic颗粒团聚长大,涂层粗糙,并有很多裂纹和孔洞,致密度低.对涂层成份和断口形貌研究表明,基体和涂层之间有1个过渡区,Sic涂层和基体之间结合良好.
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关键词
Carbon nanotubes,Carbon/carbon composites,CNT-SiC composite coating,CVD
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