生长温度对AlGaInN四元合金薄膜性质的影响

Liu Qi-Jia,Yong Shao,Wu Zhen-Long,Zhou Xu, Feng Xu,Bin Liu,Xie Zi-Li,Peng Chen

Wuli Xuebao/Acta Physica Sinica（2009）

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摘要

利用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)方法在c面蓝宝石(α-Al2O3)衬底上外延生长了铝镓铟氮(AlGaInN)四元合金薄膜.合金薄膜的生长温度设置为800,850,900℃,对获得的样品进行对比分析发现:随着生长温度的升高.合金中的In组分单调降低,而Al组分则基本保持恒定.当合金薄膜的生长温度升高到850℃时,薄膜表面开始出现V型缺陷;生长温度进一步升高到900℃时,偏析In原子的脱吸附作用加剧,V型缺陷成核被弱化,使v型缺陷的特征尺寸和分布密度大幅降低.

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关键词

AlGaInN,Growth temperature,Metalorganic chemical vapor deposition

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