Al-Zr共掺杂ZnO透明导电薄膜制备及光电性能研究

Guangdianzi Jiguang/Journal of Optoelectronics Laser（2009）

引用 10|浏览4

暂无评分

摘要

采用直流磁控溅射法,在审温水冷玻璃衬底上制备出Al-Zr共掺杂的ZnO透明导电薄膜.研究结果表明,Ar气压强对Al-Zr共掺杂ZnO透明导电薄膜的结构和电阻率有显著影响.X射线衍射(XRD)表明,Al-Zr共掺杂ZnO透明导电薄膜为六角纤锌矿结构的多品薄膜,且具有C轴择优取向.扫描电镜(SEM)观察表明,Ar气压强对Al-Zr共掺杂ZnO透明导电薄膜的微观结构影响较大.薄膜的厚度随Ar气压强的增加而变薄,在Ar气压强为2.5 Pa时,制备的Al-Zr共掺杂ZnO薄膜电阻率具有最小值1.01×10~(-3) Ω·cm,在可见光区(500～800 nm)平均透过率超过93%.

查看译文

关键词

Co-doped ZnO,Magnetron sputtering,Transparent conducting films

AI 理解论文

溯源树

样例

生成溯源树，研究论文发展脉络

Chat Paper

正在生成论文摘要