基于激子理论的硅基位错环发光器件模型参数的计算

Bin ZHANG,Lu-hong MAO, Shan-guo LI,Wei-lian GUO,Shi-lin ZHANG

Tianjin Daxue Xuebao (Ziran Kexue yu Gongcheng Jishu Ban)/Journal of Tianjin University Science and Technology（2008）

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摘要

针对硅基位错环发光器件,根据激子理论的速率方程描述了发光二极管的光电特性,提出了一种模型参数的计算方法,建立了便于计算机仿真的HSPICE模型.计算的参数与已报道的实验基本一致,特别是理想系数大于2,束缚激子的热激活能级为6.3 meV, 自由激子复合概率和束缚激子分裂概率的比为0.006等参数比较符合物理事实.并得到了束缚激子和自由激子的发光强度与温度和注入电流的相互关系.结果表明激子在位错环发光器件中具有重要作用.

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关键词

Circuit model,CMOS,Dislocation loop,Model parameter,Silicon based emitting device

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