微晶硅n-i-p太阳电池中n型掺杂层对本征层结构特性的影响

Yuan Yu-Jie,Hou Guo-Fu,Xue Jun-Ming,Han Xiao-Yan,Liu Yun-Zhou,Yang Xing-Yun,Liu Li-Jie,Dong Pei,Zhao Ying,Geng Xin-Hua

Wuli Xuebao/Acta Physica Sinica（2008）

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摘要

采用高压射频等离子体增强化学气相沉积方法在非晶和微晶两种n型硅薄膜衬底上沉积了一系列不同厚度的本征微晶硅薄膜,研究了不同n型硅薄膜对本征微晶硅薄膜的表面形貌、晶化率和结晶取向等结构特性的影响.结果表明,本征微晶硅薄膜结构对n型掺杂层具有强烈的依赖作用,微晶n型掺杂层能够有效减少n/i界面非晶孵化层的厚度,改善本征微晶硅薄膜的纵向均匀性,进而提高微晶硅n-i-p太阳电池性能.

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关键词

incubation layer,mu c-Si : H thin film,uniformity,n-i-p solar cells

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