SiGe HBT的脉冲中子及γ辐射效应

Shuhuan Liu,Dongsheng Lin,Xiaoqiang Guo,Hongbing Liu,Xinbiao Jiang,Guangning Zhu,Da Li,Zujun Wang, Wei Chen, Wei Zhang,Hui Zhou,Beibei Shao,Junli Li

Pan Tao Ti Hsueh Pao/Chinese Journal of Semiconductors（2007）

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摘要

测量了反应堆脉冲中子及γ辐照SiGe HBT典型电参数变化.在反应堆1×1013cm-2的脉冲中子注量和256.85Gy(Si)γ总剂量辐照后,SiGe HBT静态共射极直流增益减小了20%.辐照后基极电流、结漏电流增大,集电极电流、击穿电压减小.特征截止频率fT基本不变,fmax略有减小.初步分析了SiGe HBT反应堆脉冲中子及γ辐射的损伤机理.

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关键词

Radiation effects,Reactor,SiGe HBT

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