新颖的氧化生长绝缘层的MISiC传感器特性研究
Yadian Yu Shengguang/Piezoelectrics and Acoustooptics（2006）
摘要
采用新颖的NO和O2+CHCCl3(TCE)氧化技术制备金属-绝缘体-SiC(MISiC)肖特基势垒二极管(SBD)气体传感器的栅绝缘层,研究了传感器的响应特性.结果表明,传感器可快速的检测低浓度的氢气,NO氮化氧化改善了绝缘层的界面,TCE工艺降低了界面态密度和氧化层的有效电荷密度,并同时提取重金属以提高传感器的性能,使其可在高温(如300 ℃)等恶劣环境下长期可靠的工作,研究还发现:适当增加绝缘层厚度有助于传感器灵敏度和可靠性的改进.
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关键词
Gas sensor,Metal-insulator-SiC (MISiC),Schottky barrier diode (SBD)
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