掺V和Ag的TiAl合金中缺陷和电子密度的正电子湮没研究

Wen Deng, Yingying Zhu,Yine Zhou,YuYang Huang,Mingzhou Cao,Liangyue Xiong

RARE METAL MATERIALS AND ENGINEERING（2006）

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摘要

测量了Ti50Al50,Ti50Al48V2,Ti50Al48Ag2合金和充分退火的Ti,Al,Ag,V金属的正电子寿命谱,利用正电子寿命参数分别计算了合金基体和缺陷态的自由电子密度.TiAl合金的脆性与其基体和晶界缺陷处的自由电子密度较低有关.在富Ti的TiAl合金中加入V,V原子比Al和Ti原子能提供较多的自由电子参与形成金属键,因而提高了合金基体和晶界缺陷处的自由电子密度;在TiAl合金中加入Ag也有类似的效应.在TiAl合金中加入V和Ag,有利于提高合金的韧性.

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关键词

TiAl alloy,electron density,microdefect,positron annihilation

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