100V高压CMOS工艺关键技术的研究

Limei Song,Hua Li,Huan Du,Yang Xia,Zhengsheng Han,Chaohe Hai

Journal of Semiconductors（2006）

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摘要

提出了一种新的双栅氧(dual gate oxide,DGO)工艺,有效提高了薄栅氧器件与厚栅氧器件的工艺兼容性,同时提高了高低压器件性能的稳定性.在中国科学院微电子研究所0.8μm n阱标准CMOS工艺基础上设计出高低压兼容的100V高压工艺流程,并流片成功.实验结果表明,高压n管和高压p管的关态击穿电压分别为168和-158V,可以在100V高压下安全工作.

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关键词

Compatibility,DGO,HVCMOS

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