高效率1.06 μm波段大功率半导体激光列阵模块

Shun YAO,Ge-tao TAO,Yun LIU,Xiang-peng WANG,Di YAO,Li-jun WANG

Bandaoti Guangdian/Semiconductor Optoelectronics（2006）

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摘要

采用 InGaAs/InGaAsP应变量子阱折射率分别限制(SCH)宽波导结构结合优化欧姆接触减小串联电阻的方法,制作出高效率大功率1.06 μm波段半导体激光列阵模块.激光芯片宽1 cm,腔长1 200 μm,条宽200 μm,填充密度为50%;室温连续输出功率为50.2 W时光电转换效率达到56.9%.

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关键词

Array module,High power,Semiconductor laser

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