808 nm大功率半导体激光器的加速老化实验
Bandaoti Guangdian/Semiconductor Optoelectronics（2005）
摘要
对InGaAsP/GaAs有源区无铝的808 nm大功率半导体激光器进行了高温恒流加速老化实验,得到了器件在高温条件下的寿命,利用外推公式推算出激光器在室温条件下工作的寿命可超过30000 h.讨论了实验中出现的灾变退化现象,提出了防止灾变退化的几种方法.
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关键词
Accelerated aging,Catastrophic degradation,High-power,Reliability,Semiconductor lasers
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