倒装焊组装的光电混合集成RCE探测器面阵
Guangdianzi Jiguang/Journal of Optoelectronics Laser（2003）
Abstract
报道了一种可用于并行光传输系统的64×64光探测器面阵.器件结构采用谐振腔增强型(RCE),吸收区由3层InGaAs/GaAs量子阱构成,谐振腔是由2组多层布拉格结构的反射镜组成,工作波长位于980 nm.该器件利用倒装焊技术,将GaAs基的谐振腔增强型光探测器面阵与相应的Si基标准CMOS集成电路混合集成在一起,形成具备64×64路光并行接收及处理的大规模光电集成探测器面阵器件,并对光探测器面阵的主要特性进行了测试,测试结果显示该面阵具有均匀的电特性,反向偏压均大于14 V,暗电流约为10 nA数量级.
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Key words
Detector array,Flip chip bonding,InGaAs/GaAs MOW
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