高阻GaN的MOCVD外延生长

Xu-guang DENG,Jun HAN,Yan-hui XING,Jia-xing WANG,Ya-ming FAN,Bao-shun ZHANG,Xiang CHEN

Faguang Xuebao/Chinese Journal of Luminescence（2013）

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摘要

利用金属有机化合物气相沉积(MOCVD)在蓝宝石衬底上生长了高阻GaN薄膜.对GaN成核层生长的反应室压力、生长时间和载气类型对GaN缓冲层电学特性的影响进行了分析.实验结果表明,延长GaN成核层的生长时间,降低成核层生长时的反应室压力,载气由H2换为N2都会得到高阻的GaN缓冲层.样品的方块电阻Rs最高为2.49 ×1011Ω/□.以高阻GaN样品为衬底制备了AlGaN/AlN/GaN结构HEMT器件,迁移率最高达1 230 cm2/(V·s).

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关键词

GaN,High electron mobility transistor,MOCVD,Sapphire substrate

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