惯性约束聚变靶中硅支撑冷却臂的制备
Qiangjiguang Yu Lizishu/High Power Laser and Particle Beams（2013）
摘要
论述了基于反应离子深刻蚀技术加工惯性约束聚变(ICF)靶的硅支撑冷却臂.利用扫描电子显微镜、白光干涉仪和视觉显微系统等对所制备的硅支撑冷却臂的形貌、侧壁陡直度和卡爪径向形变量等参数进行了表征分析.分析结果表明,硅支撑冷却臂的侧壁陡直度大于88°,卡爪径向形变量大于20 μm,符合靶的设计要求.
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关键词
Deep reactive ion etching,ICF target,Silicon supporting cooling arm
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