耿氏管的合金金属及正面反面工艺的研究

Hongwai yu Jiguang Gongcheng/Infrared and Laser Engineering(2013)

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摘要
介绍了一种实现低成本、高功率、高散热性能耿氏管的工艺制备流程,利用分子束外延生长技术(MBE)在高掺杂的InP衬底上生长n n+型的一致性掺杂外延结构,在外延结构正面利用电子束蒸发Ge/Au/Ni/Au作为器件阴极和电镀金制备作为散热层,背面通过化学湿法腐蚀形成台面(MESA)。在不同的温度下进行了退火对比实验,研究了阴极合金形成良好欧姆接触的温度条件。结果表明:退火温度为450益时形成的金属电极的接触效果最好。关于耿氏管的正面反面制备工艺简便易行,利用Ge/Au/Ni/Au制备金属电极得到了良好的欧姆接触性能,用氯基溶液进行了湿法腐蚀实验得到了较好的垂直台面(MESA)。该制备方法有望实现优良性能的耿氏器件。
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关键词
Anneal,Gunn diode,InP,Metallization,THz
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