新型电子俘获型光存储材料Sr2Sn04:Sb3+的发光性能研究

Wuli Xuebao/Acta Physica Sinica(2012)

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摘要
采用高温固相法在1300°C的温度获得了一种新型电子俘获型光存储材料Sr2Sn04:Sb3+.结果表明:208nm(Sb3+的So-P1)和265nm(1so-3P1)的紫外光是Sr2Sn04:Sb3+的最有效信息写入光源;其发射是覆盖400-700nm的宽带(3Po1-1So),肉眼可看到淡黄色白光,色坐标为(0.341,0.395).热释光谱研究结果表明:Sr2Sn04:Sb3+有分别位于39°C,124°C,193°C和310°C的四个热释峰.其中,39°C的热释峰强度很低,因而Sr2Sn04:Sb3+只具有不到140S的微弱余辉.而310°C的高温热释峰在空置1天后,仍能保持约45.6%的初始强度,并对980nm的红外光有很好的红外上转换光激励响应.因此,Sr2Sn04:Sb3+是一种具有一定的信息存储应用潜力的新型光存储发光材料.
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关键词
Optical storage,Photostimulated luminescence,Sr 2SnO 4:Sb 3+
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