高频重复经颅磁刺激对脑梗死后学习记忆功能及pCREB、bcl-2、bax表达的影响

目的：研究高频重复经颅磁刺激对脑梗死大鼠学习记忆的影响，并探讨其可能机制。 方法：采用大脑中动脉阻塞再灌注方法建立脑梗死模型，给予7天的20Hz重复经颅磁刺激治疗，采用Morris水迷宫评定大鼠学习记忆功能变化，并观察磁刺激组与模型组、给予阻滞剂与不给予阻滞剂组间pCREB、bcl-2、bax的表达变化。结果：①模型组大鼠与正常组相比逃避潜伏期明显延长（p=0.001），磁刺激组逃避潜伏期较模型组大鼠明显缩短（p=0. 017）。②磁刺激组的pCREB和bcl-2表达较模型组增加（P<0.01），bax则较模型组减少（P<0.01），bcl-2与bax的比值磁刺激组大于模型组（P<0.01）。rTMS+H89组的pCREB和bcl-2表达较rTMS+NS组降低（P<0.01），bax的表达则较rTMS+NS组增加（P<0.01），rTMS+H89组bcl-2与bax的比值较rTMS+NS组亦降低（P<0.05）。结论：高频重复经颅磁刺激能够促进脑缺血后海马神经元的存活，抑制凋亡；磁刺激促进脑缺血后海马神经元的存活的作用可能通过影响PKA-CREB通路的表达来实现。