新型前栅场发射器件的研究
Zhenkong Kexue yu Jishu Xuebao/Journal of Vacuum Science and Technology（2012）
摘要
采用刻蚀型介质制作前栅场发射器件.该器件中阴栅结构的形成是利用刻蚀工艺刻蚀介质层,一次性实现栅孔和阴极电极的连通,最后利用电泳沉积工艺转移碳纳米管制备成阴极发射点阵.该工艺避免了对准或套印,使前栅场发射器件制作工艺更简单,降低了成本,更容易实现大面积制作.场发射测试表明当阳压在1500和2000V时,栅压都能够有效地控制阴极的电子发射.
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关键词
Etching dielectric layer,Field emission,Normal-gate
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