Hg和Ga元素对Mg阳极材料组织和电化学腐蚀性能的影响

采用动电位极化、恒电流和交流阻抗测试方法研究了Hg和Ga元素对Mg-2％Hg,Mg-2％Ga和Mg-2％Hg-2％Ga合金电化学腐蚀性能的影响,并用扫描电镜、X射线衍射和能谱分析了上述合金的显微组织和腐蚀表面形貌.结果表明:Mg-2％Ga合金是固溶体,Mg-2％Hg和Mg-2％Hg-2％Ga合金的晶界有白色第二相.Mg-2％Ga合金的平均电位为-1.48 V,腐蚀电流密度为0.15 mA/cm2,电化学活性差,耐腐蚀性能好.Mg-2％Hg-2％Ga合金的平均电位-1.848 V,腐蚀电流密度为2.136 mA/cm2,电化学活性好,耐腐蚀性能差.Mg-Hg-Ga合金的活化机制是Hg和Ga原子的溶解-沉积.