解析ZnO纳米线的掺杂及特性研究进展

ZnO具备优良的物理及化学性质,属于一种重要的宽禁带半导体材料。研究发现,ZnO纳米线在催化、光学、磁性及敏感器件等领域具备良好的应用前景。然而,ZnO存在着氧空位及锌间隙等先天缺陷,难以达到完美化学计量比。为此,将一些元素掺入到ZnO纳米线中,在改变ZnO纳米线结构形貌的同时,实现对ZnO纳米线的掺杂,进一步改善其光学、磁学、敏感等性能,推动ZnO纳米线在多种领域的研究及应用。