羟基氧化镓菱形截面棒状粉体的制备与表征

用GaCl3溶液和NH3.H2O反应成功制备了羟基氧化镓(GaOOH)菱形截面棒状粉体。用X射线衍射(XRD)、场发射扫描电子显微镜(FESEM)对产物进行了表征,并探讨了GaOOH晶体的生长机理。结果表明:GaOOH粉体表现为分散性较好的短棒状,长度分布在2~4μm,绝大多数粉体的长径比为4左右;菱形截面是由{110}晶面族的(110)、(1-1 0)、(-1 1 0)以及(-1-1 0)四个等效晶面分别沿着[-4 1 0]、[-4-1 0]、[410]和[4-1 0]晶体学方向均匀长大而成。