SOI SRAM存储器单粒子翻转机理研究

<正>由于SOI器件较小的灵敏体积,使得它的抗SEE能力明显好于体硅(Bulk)器件;衬底与顶层器件的绝缘,不但彻底消除了单粒子闩锁效应(SEL),并且在总剂量效应、剂量率方面及性能方面较体硅器件都有一定提高,因此,SOI器件在航天方面越来越受重视。然而,埋层氧化物也带来了一些负面效应,比如"浮体效应"。负面效应不仅致使顶层体区产生的电荷会被收集,一定条件下,漏区和衬底的电荷也会对电路产生影响。这些效应会严重影