GaN半导体探测器的性能测试

<正>GaN作为第三代半导体材料具有一系列优异的物理和化学性质,有禁带宽度大,热导率高,电子饱和漂移速度大等特点,目前已成为高科技领域的研究重点。本实验对GaN半导体探测器进行了一系列的性能测试,从而进一步指导GaN探测器的改进。实验所用GaN探测器为与苏州纳米所联合研制而成,探测器直径约4mm,GaN薄膜厚约2μm,并使用Ni/Au作为肖特基接触电极(图1)。