选择区掺杂方法研究

针对低成本、易操作和安全无污染的半导体掺杂要求提出了一种选择区扩散掺杂方法。利用电子束曝光光刻开窗,采用改进的二氧化硅乳胶涂覆扩散法进行扩散掺杂。实验证明调整个别工艺步骤后该方法无杂质遮蔽层的设计可应用于晶体硅太阳能电池欧姆接触的制作,且无遮蔽层时扩散炉内的气体流量和组份对方块电阻有较大的影响,适当增大气体流量可以降低非掺杂区的杂质表面浓度,引入遮蔽层后也能够较好地满足目前集成光路中涉及的某些杂质掺杂要求。