姬松茸镉累积特性研究:Ⅱ镉胁迫对菌丝及子实体生长发育的影响

通过测定菌丝生长速度和子实体中镉含量,研究重金属Cd胁迫对姬松茸菌丝和子实体生长发育的影响.结果表明,菌丝生长速度随镉浓度的增加而明显受到抑制,EC60为20.237 5 mg·kg-1.姬松茸子实体镉的富集随培养料中外源镉浓度的增加而明显递增,符合MICHAELIS MENTEN曲线回归模型;当培养料中镉添加量低于10mg·kg-1,子实体内镉的富集系数相同;当外源镉浓度超过10mg·kg-1,富集系数降低,培养料外源镉浓度至80mg·kg-1,其富集系数降至12;镉浓度超过10mg·kg-1,子实体数量显著减少;镉浓度在40mg·kg-1以上,菌丝体发育为畸形菇.因此初步认为,姬松茸子实体生长发育耐镉的临界值为40mg·kg-1.不同浓度镉胁迫其菌盖镉的富集量均比菌柄高出3倍左右.