600 V-30 A 4H-SiC肖特基二极管作为IGBT续流二极管的研究

Yuzhu LI,Weijiang NI,Zheyang LI,Yun LI,Chen CHEN,Xiaojian CHEN

Research & Progress of SSE Solid State Electronics（2010）

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摘要

采用碳化硅外延和器件工艺制造了碳化硅肖特基(SBD)二极管,耐压超过600 V.正向压降为1.6 V时,器件电流达到30A.作为IGBT续流二极管,600V碳化硅肖特基二极管和国际整流器公司的600 V超快恢复二极管(Ultra fast diode)进行了对比:125℃ IGBT模块动态开关测试中,碳化硅二极管的反向恢复能耗比硅二极管节省90%,相应的IGBT开通能耗节省30%.另外反向恢复中过电压从40%降为10%,这是由于碳化硅的软度高,提高了模块的可靠性.

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关键词

SBD diode,ultra-fast diode,softness,4H-SiC

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