高性能SiC整流二极管研究

Yang Fei,Shang Qingjie,Li Yali,Yan Rui,Mo Jianghui,Pan Hongshu,Li Jia,Liu Bo,Feng Zhihong,Fu Xingchang, He Qingguo,Cai Shujun,Yang Kewu

Micronanoelectronic Technology（2010）

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摘要

在n型4H-SiC单晶导电衬底上制备了具有MPS(merged p-i-n Schottky diode)结构和JTE(junction termination extension)结构的肖特基势垒二极管。通过高温离子注入及相应的退火工艺,进行了区域性p型掺杂,形成了高真空电子束蒸发Ni/Pt/Au复合金属制备肖特基接触,衬底溅射Ti W/Au并合金做欧姆接触,采用场板和JTE技术减小高压电场集边效应。该器件具有良好的正向整流特性和较高的反向击穿电压。反向击穿电压可以达到1300V,开启电压约为0.7V,理想因子为1.15,肖特基势垒高度为0.93eV,正向电压3.0V时,电流密度可以达到700A/cm2。

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关键词

merged p-i-n Schottky(MPS),breakdown voltage,SiC,Schottky contact,ohmic contact,field plated

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