碲镉汞雪崩光电二极管的发展

雪崩光电二极管(APD)工作在足够的反偏下,光生载流子到达耗尽区并诱发放大过程。碲镉汞(MCT)电子和重空穴有效质量之间的非对称性会产生不相等的电子电离系数和空穴电离系数,提供一个由单独一类载流子诱发的碰撞电离过程,从而形成具有包括接近无噪声增益在内的"理想"APD特征的电子雪崩光电二极管(EAPD)。对于包括低光子数在内的各种探测器应用,国外已经实现了高增益(-7×10~3)、过剩噪声因子接近于1、THz增益带宽积、皮秒级快速响应的MCT/EAPD器件。在对国外部分文献进行归纳与分析的基础上,主要介绍了近年来有关MCT/EAPD的基础问题、器件结构、技术发展以及性能指标等方面的现状。