超深亚微米无负载四管与六管SRAM SNM的对比研究
MICROELECTRONICS & COMPUTER（2006）
摘要
采用基于物理的α指数MOSFET模型与低功耗传输域MOSFET模型,推导了新的超深亚微米无负载四管与六管SRAM存储单元静态噪声容限的解析模型,对比分析了由沟道掺杂原子本征涨落引起的相邻MOSFET的阈值电压失配对无负载四管和六管SRAM单元静态噪声容限的影响.
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