Transverse Hall Coefficient And Magnetoresistance Of 2-Phase Insb-In Layers

Die magnetische Widerstandsänderung und der Hall-Koeffizient von kombinierten (InSb + In)-Filmen, die aus der flüssigen Phase rekristallisiert wurden, sind als Funktion des magnetischen Feldes untersucht worden, und zwar vor und nach Beseitigung der In-Einschliessungen durch Ätzen des Films. Die Eigenschaften eines porösen Films, der durch das Ätzen entsteht, werden zu den Eigenschaften desselben Filmes in homogenem Zustand in Beziehung gesetzt durch eine einfache Theorie, die auf Porenanordnung und geometrischen Faktoren basiert. Die Elektronenbeweglichkeit in den InSb-Dendriten wird auf 3 × 10 4 cm 2 (V-sec) bei 296°K geschätzt. Zwischen Theorie und experimentellen Daten wird eine gute qualitative und ziemlich gute quantitative Übereinstimmung gefunden.