一种850 nm氧化限制型垂直腔面发射激光器的设计
Semiconductor Optoelectronics（2013）
摘要
采用PICS3D软件建立了850 nm氧化限制型垂直腔面发射激光器(VCSEL)的仿真模型,通过优化量子阱有源区的阱和垒的个数、合理选取分布式布拉格反射镜(DBR)的材料以及对数,设计了一种850 nm氧化限制型VCSEL.在10μm氧化孔径下,与商用的850 nm氧化限制型VCSEL相比,其阈值电流从1.8mA降至1.5mA,斜率效率从0.3 W/A提升到0.65 W/A.
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关键词
vertical cavity surface emitting laser,slope efficiency,threshold current,oxide aperture,quantum well
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