PLD法制备高介电调谐率的纳米晶BZT薄膜

Xin-gui TANG,Jian-lie LIANG,Liang-qin NONG,Hui-fang XIONG,WONG CHAN

Electronic Components and Materials（2007）

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摘要

用脉冲激光沉积工艺制备了Ba(ZrxTi1-x)O3 (x=0.25,0.30简称BZT25和BZT30)介电薄膜.在650℃原位退火10 min,薄膜为(111)取向柱状生长的晶粒,取向度分别为0.45和0.75.BZT25和BZT30薄膜的平均晶粒尺寸分别为50 nm和60 nm.在室温、1 MHz和3×105V/cm条件下,BZT25的最大εr和调谐率分别达到563和65%,BZT30的最大εr和调谐率分别达到441和57%.薄膜为(111)取向生长,主要是基于薄膜与底电极Pt界面层立方相结构Pt3Ti的诱导,即(111)Pt3Ti和(111)BZT的晶格匹配.

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关键词

columnar-grained,non-metallic inorganic material,figure of merit,PLD,dielectric tunability,BZT thin film

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