The effect of reactor irradiation on the optical transitions in Ge, GaAs and Se
Solid State Communications（1972）
Abstract
Die Auswirkung der Bestrahlung im Reaktor auf die wellenlängen- modulierte Reflexion und die Elektroreflextion von Ge-, GaAs- and Se-Einkristallen wurde untersucht. Die Bestrahlungstemperature lag zwischen 300 und 310 K. Die Energie der Reflexionsmaxima wurde vor und nach der Bestrahlung gemessen.
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Key words
energy levels,gallium arsenide
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