1MeV中子辐照SiGe HBT器件的数值模拟

分析了SiGe HBT器件中子辐照效应损伤机理。运用MEDICI软件,对SiGe HBT器件中子辐照效应的数值模拟进行了探索性研究。计算了1MeV中子在不同辐照注量下对SiGe HBT器件交直流特征参数的影响规律;中子辐照损伤与SiGe HBT器件中Ge组分含量关系;以及不同缺陷类型对SiGe HBT器件交直流特征参数的影响规律。通过对SiGe HBT器件辐照效应的数值模拟计算,验证了相关辐照实验得出的规律。