不同靶间距下非晶态碲镉汞薄膜生长及厚度均匀性研究
Infrared Technology(2011)
摘要
采用射频磁控溅射法在不同靶间距下生长非晶态碲镉汞薄膜并研究其生长速率、择优取向及厚度均匀性.实验结果表明随着靶间距减小及溅射功率增加生长速率增大;不同靶间距下Hg1-xCdxTe薄膜结晶特性差距较大,择优取向为(111)方向;增大靶间距能够有效地提高薄膜厚度均匀性,75mm靶间距时,50 mm×60 mm及10 mm× 10 mm范围内厚度均匀性分别优于7%和1%.
更多查看译文
关键词
thickness uniformity,Amorphous MCT(a-Hg1-xCdxTe,a-MCT),RF Magnetron Sputtering,target spacing
AI 理解论文
溯源树
样例
![](https://originalfileserver.aminer.cn/sys/aminer/pubs/mrt_preview.jpeg)
生成溯源树,研究论文发展脉络
Chat Paper
正在生成论文摘要