Electrooptical properties of SnO2 spray–GaSe and SnO2 spray–GaTe heterojunctions

A new heterojunction using III-VI lamellar GaTe compound and SnO2 spray is fabricated. The study of I–U characteristics of GaSe–SnO2 and GaTe–SnO2 diodes versus temperature show strong analogy between the modes of conduction in both the devices. From the variation versus temperature of the space charge limited current part of the characteristic, trap activation energies are deduced. Some electroluminescent and photovoltaic effects of these devices are described. Une nouvelle hétérojonction mettant en jeu le composé lamellaire III–VI GaTe et SnO2 spray a été fabriquée. Les caractéristiques I–U des diodes GaSe–SnO2 et GaTe-SnO2 montrent une forte analogie entre les modes de conduction dans les deux dispositifs. La variation du courant limité par la charge d'espace en fonction de la température permet de déterminer les énergies d'activation de pièges. On décrit quelques propriétés électroluminescentes et photovoltaïques de ces dispositfs.