Electrooptical properties of SnO2 spray–GaSe and SnO2 spray–GaTe heterojunctions
PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLIED RESEARCH(1978)
摘要
A new heterojunction using III-VI lamellar GaTe compound and SnO2 spray is fabricated. The study of I–U characteristics of GaSe–SnO2 and GaTe–SnO2 diodes versus temperature show strong analogy between the modes of conduction in both the devices. From the variation versus temperature of the space charge limited current part of the characteristic, trap activation energies are deduced. Some electroluminescent and photovoltaic effects of these devices are described. Une nouvelle hétérojonction mettant en jeu le composé lamellaire III–VI GaTe et SnO2 spray a été fabriquée. Les caractéristiques I–U des diodes GaSe–SnO2 et GaTe-SnO2 montrent une forte analogie entre les modes de conduction dans les deux dispositifs. La variation du courant limité par la charge d'espace en fonction de la température permet de déterminer les énergies d'activation de pièges. On décrit quelques propriétés électroluminescentes et photovoltaïques de ces dispositfs.
更多查看译文
关键词
sno2 spray–gase,electrooptical properties
AI 理解论文
溯源树
样例
![](https://originalfileserver.aminer.cn/sys/aminer/pubs/mrt_preview.jpeg)
生成溯源树,研究论文发展脉络
Chat Paper
正在生成论文摘要