半导体(Ga-Al-As)激光对大鼠牙髓组织的生物学效应

目的:观察镓铝砷(Ga-Al-As)半导体激光在最大脱敏功率下对大鼠牙髓组织的生物学效应。方法:7周龄SD大鼠6只按观察时间随机分为3组,分别用Ga-Al-As半导体激光以推荐的最大功率(1.0 W),对每只大鼠右侧上切牙进行照射,照射参数为180 s,500 ms,左侧上颌切牙不作处理作为对照组。分别于激光照射后1、7、14 d取各牙牙髓组织,用实时定量PCR(RT-PCR)检测炎症相关因子TNF-α、矿化相关基因DMP1的表达情况,采用方差分析对数据进行统计分析。结果:激光照射后第1天时,牙髓组织内TNF-αmRNA表达水平出现上升,随后逐渐下降,到第14天时,其表达水平与对照组接近,各时间点与对照组相比均无统计学差异(P>0.05);而DMP1 mRNA的表达则随时间呈上升趋势,并在照射后第14天时有较高表达,与对照组和1 d组相比均有统计学差异(P<0.05)。结论:在1.0 W,180 s,500 ms能量的激光照射下,大鼠牙髓组织未出现不可逆的炎症改变,而且可激活其矿化修复功能。