缺中子176Ir核β+/EC衰变研究

Hua-Lei WANG,Yu-Hu ZHANG,Xiao-Hong ZHOU,Ying-Xiang GUO,Xiang-Guo LEI,Yuan-Xiang XIE,Shu-Wei XU,Ye-Bing XING,Yong ZHENG,Min-Liang LIU,Cheng-Ying XIE,Li-Tao SONG,Peng LUO,Hai-Ping YU,Wen-Tao GUO,Hua-Jie DING,Yan-Ning NIU

High Energy Physics and Nuclear Physics（2006）

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摘要

在210MeV的束流能量下,利用重离子熔合蒸发反应146Nd(35Cl,5nγ)176Ir产生具有β+/EC衰变性质的核素176Ir,由氦喷嘴快速带传输系统将反应产物传送到低本底区进行测量.经过实验数据的离线处理分析,对早先发表的176Ir衰变γ跃迁进行确认的同时又发现了3个新能级和10条新的γ射线,丰富了176Os核的低位激发态能级纲图.并根据典型γ射线的衰变时间谱建议了176Ir核的一个长寿命的低自旋同核异能态.

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关键词

β+/EC decay,half life,He-jet tape transport system,decay scheme

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