MOCVD法生长ZnO薄膜时氧源t-BuOH和H2O的比较研究
Chinese Journal of Luminescence（2012）
Abstract
以活性较低的叔丁醇( t-BuOH)和水(H2O)作为氧源,采用MOCVD技术生长了ZnO薄膜.研究发现,t-BuOH作为氧源可以有效地抑制其与锌源之间的气相预反应,比H2O作为氧源进行ZnO薄膜的外延生长具有更高的生长速率,得到的ZnO薄膜晶体质量更优,同时载流子的迁移率可以达到37.0 cm2·V-1·s-1,表明t-BuOH更适合作为氧源通过MOCVD系统生长ZnO薄膜.
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Key words
O precursor,t-BuOH,MOCVD,ZnO
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