2700V 4H-SiC结势垒肖特基二极管

在76.2 mm 4H-SiC晶圆上采用厚外延技术和器件制作工艺研制的结势垒肖特基二极管(JBS)。在室温下,器件反向耐压达到2 700 V。正向开启电压为0.8 V,在V_F=2 V时正向电流密度122 A/cm~2,比导通电阻R_(on)=8.8 mΩ·cm~2。得到肖特基接触势垒qΦ_B=1.24 eV,理想因子n=1。