外加压力时双纳米线中浅施主杂质的性质
Journal of Hebei University of Science and Technology（2009）
摘要
在有效质量近似下,采用简单的尝试波函数变分地计算了压力对浅施主杂质在对称GaAs/Ga1-xAlxAs双纳米线中的束缚能的影响:计算了线宽、施主离子位置及垒宽对体系束缚能的影响,发现随压力增加和垒宽的减小双线间的耦合越来越强;体系束缚能随线宽显示出非线性行为,并且在线宽较小时体系束缚能有一最大值,所得结果和前人计算符合很好.
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关键词
binding energies,shallow donor impurity,nanometer-wires
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