用Zn/F离子先后注入和热退火法实现ZnO量子点的可控生长
Journal of Wuhan University(Natural Science Edition)（2008）
Abstract
将Zn/F离子先后注入到非晶二氧化硅中并分别在400,600,700℃下进行了退火.用光学吸收谱、透射电子显微镜(TEM)、高分辨透射电子显微镜(HRTEM)对退火的样品进行分析,发现在600℃退火后ZnO量子点已经形成.二次离子质谱仪(SIMS)测试发现在溅射时间为2 s时Si,Zn元素同时出现,说明没有在衬底的表面形成ZnO薄膜.从原子力显微镜(AFM)图像看到有少量的颗粒被蒸发到衬底的表面,说明在衬底的内部形成了ZnO量子点.F离子注入的作用为在衬底的内部形成ZnO量子点提供了O2分子.
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Key words
quantum dots,ion implantation,thermal annealing
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